1.失效樣品為某型號(hào)單面貼片電路板，該P(yáng)CB板經(jīng)過組裝后發(fā)現(xiàn)有貼片電阻立碑不良現(xiàn)象，不良率較高，并且位置固定。

2、分析方法簡(jiǎn)述

2.1外觀檢查

通過外觀觀察，發(fā)現(xiàn)貼片電阻一側(cè)引腳翹起，對(duì)應(yīng)的焊盤上無明顯的焊錫，也沒有觀察到明顯的助焊劑擴(kuò)散現(xiàn)象，焊錫主要集中在電容的端電極上。

2.2 表面EDS分析

對(duì)立碑位置的焊盤表面進(jìn)行EDS分析，沒有檢出異常的元素成分，其中PCB表面處理為化學(xué)銀，錫膏為有鉛錫膏。

2.3 錫珠擴(kuò)散測(cè)試

取相同生產(chǎn)同周期的未焊接的PCB板，在與立碑不良位置相同的焊盤進(jìn)行表面EDS分析，未檢出異常元素。

2.4 錫珠擴(kuò)散測(cè)試

使用相同生產(chǎn)同周期的未焊接的PCB板進(jìn)行錫珠潤(rùn)濕擴(kuò)散測(cè)試，對(duì)測(cè)試后的焊錫進(jìn)行直徑測(cè)量，擴(kuò)散直徑大于2倍錫珠直徑（見圖3），初步確認(rèn)焊盤的潤(rùn)濕性無異常；進(jìn)行斷面觀察，IMC層形成良好（見圖4），進(jìn)一步說明焊盤的可焊性無異常

2.5立碑位置斷面SEM觀察

對(duì)立碑不良位置進(jìn)行斷面SEM觀察，發(fā)現(xiàn)焊盤上有IMC層（見圖5），對(duì)IMC層進(jìn)行EDS分析，檢出錫、鉛元素（錫膏中主要元素），說明焊接時(shí)錫膏參與了IMC層的形成，焊盤的可焊錫無異常。

2.6溫差測(cè)試（模擬驗(yàn)證）

對(duì)立碑不良位置的2個(gè)焊盤所在的網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)兩個(gè)焊盤所連接的銅面相差較大，未翹起的一側(cè)的焊盤連接的是一整塊銅面，而翹起的一側(cè)的焊盤連接的是一小塊銅面，理論上在焊接時(shí)這兩個(gè)焊盤會(huì)有一定的溫度差。為了確認(rèn)兩焊盤的溫度差，進(jìn)行了模擬測(cè)試，發(fā)現(xiàn)兩焊盤溫度差最高達(dá)到了25.2℃。

4、結(jié)論

1.元素分析未發(fā)現(xiàn)有阻焊的物質(zhì)，同時(shí)錫珠擴(kuò)散測(cè)試結(jié)構(gòu)為OK，說明PCB的可焊性無異常

2. 根據(jù)IMC層中的銀、鉛元素，進(jìn)一步說明PCB的可焊錫是OK的，

3.使用模擬驗(yàn)證測(cè)試，驗(yàn)證了PCB焊盤銅面大小對(duì)焊接溫度的影響

5、建議

1.改善優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)。